シリコンファンドリ
ＰＤＫ(プロセスデザインキット)提供型ファンドリ プロセス一覧
Cadence社、SILVACO社、Tanner社のEDAツールに対応したPDKの提供を致します。
0.35μmCMOSプロセス
プロセスラインアップと特徴
NV-FUSE IP
0.35μm.CMOSプロセス S35MTA S35MTCで、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリIPを使用できます。
| 【NV-FUSE IP特徴】 | ・メモリ容量 １６ビット／３２ビット／６４ビット／１２８ビットを用意 ・シリアル入力インターフェースでメモリにデータをプログラム ・電源オンするとスタンバイ状態（１μＡ ｍａｘ）でメモリのデータを自動出力 ・プログラムした情報は１ビット単位でメモリ電流としてモニタ可能 |
対応表
●：対応可
| Analog-CMOS | |||||||
| 0.35μm | |||||||
| プロセスコード | S35AD | S35MD | S35A | S35B | S35MTA | S35MTC | |
| 標 準 素 子 |
3.3V MOS | ● | ● | ● | - | ● | ● |
| 5V MOS | - | ●I/O用 | - | ● | ●I/O用 | ●I/O用 | |
| 高耐圧 MOS | - | - | - | - | - | - | |
| Sub-PNP | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
| V-NPN | - | - | ● | - | ● | - | |
| ＰＩＰ容量 | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
| 高抵抗Poly | 4KΩ/□ | 4KΩ/□ | 7KΩ/□ | 4KΩ/□ | 4KΩ/□ | 4KΩ/□ | |
| Polyヒューズ | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
| モ デ ル |
MOS | BSIM | BSIM | BSIM | BSIM | BSIM | BSIM |
| BiP | Gummel Poon | Gummel Poon | Gummel Poon | Gummel Poon | Gummel Poon | Gummel Poon | |
| 標準セル | - | - | - | - | - | ● | |
| NV-FUSE IP | - | - | - | - | ● | ● | |
| P D K |
Cadence | ● | ● | ● | - | ● | ● |
| Tanner | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
| SILVACO | ● | ● | - | - | - | - | |
| Textベース* | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
*Text ベース
Spiceモデルデータ、DRC、LVS等検証ルールはTextベースの電子データ、基本素子のレイアウト例はGDSデータで、レイアウトルール、マスク層定義、素子特性、素子構造等はドキュメントにて提出致します。
0.6μmCMOSプロセス
プロセスラインアップと特徴
| S05ATC 3層メタル、3重Ｗｅｌｌと 温度変動の少ない抵抗をもつプロセス |
S05KTD 高耐圧プロセスにメタル3層を用い、チップサイズの小型化を実現 |
対応表
●：対応可
| Analog-CMOS | HV-CMOS | ||
| 0.60μm | 0.6μm | ||
| プロセスコード | S05ATC | S05KTD | |
| 標 準 素 子 |
3.3V MOS | - | - |
| 5V MOS | ●3重Well | ● | |
| 高耐圧 MOS | - | ●40V動作 | |
| Sub-PNP | ● | ● | |
| V-NPN | ● | ● | |
| ＰＩＰ容量 | ● | ● | |
| 高抵抗Poly | 5KΩ/□ | 5KΩ/□ | |
| Polyヒューズ | ● | ● | |
| モ デ ル |
MOS | BSIM | BSIM |
| BiP | Gummel Poon | Gummel Poon | |
| P D K |
Cadence | ● | ● |
| Tanner | ● | - | |
| SILVACO | - | - | |
| Textベース* | ● | ● | |
*Text ベース
Spiceモデルデータ、DRC、LVS等検証ルールはTextベースの電子データ、基本素子のレイアウト例はGDSデータで、レイアウトルール、マスク層定義、素子特性、素子構造等はドキュメントにて提出致します。
PDKドキュメント体系
